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FCH085N80	文件：371.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=85mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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FCH085N80

文件：371.84 Kbytes

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=85mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多FCH085N80供应商更新时间2025-5-23 19:12:00

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