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FCD9N60NTM中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，9 A，385 mΩ，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FCD9N60NTM规格书详情
描述 Description
SupreMOS® MOSFET是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统SJ MOSFET产品的深沟槽填充工艺。 这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。 SupreMOS MOSFET技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。
特性 Features
•RDS(on) = 330mΩ （典型值） @ VGS = 10V, ID = 4.5A
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 17.8nC )
•低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 122pF ）
•100%经过雪崩测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FCD9N60NTM
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：9
- PD Max (W)
：92.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：385
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：17.8
- Ciss Typ (pF)
：735
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild/ON |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-252 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
5020 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
5000 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ROCHESTER |
2022+ |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-2523L(DPAK) |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON |
1816+ |
TO252 |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
