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FAN8811T

High-Frequency, High Side and Low Side Gate Driver IC

文件:901.36 Kbytes 页数:17 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FAN8811TMPX

High-Frequency, High Side and Low Side Gate Driver IC

文件:901.36 Kbytes 页数:17 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FAN8811TMPX

High-Frequency, High Side and Low Side Gate Driver IC

文件:341.87 Kbytes 页数:14 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FAN8811T

高频率,高压侧和低压侧门极驱动集成电路

FAN8811 是高端与低端栅极驱动 IC,设计用于高压、高速驱动 MOSFET,工作电压高达100 V。FAN8811 集成一个驱动器 IC 和自举二极管。 驱动器 IC 具有较低的延迟时间和匹配 PWM 输入传播延迟,从而进一步提高了零件的性能。高速双栅极驱动器旨在用半桥或同步降压驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET。 浮动高端驱动器能够使用高达 100 V 的供应电压工作。在双栅极驱动器中,高端和低端都有独立输入,在应用中可实现最大输入控制信号灵活性。 PWM 输入信号(高电平)可以为 3.3 V、5 V 或高达 VDD 逻辑输入,涵盖所有可能的应用情况。 高端驱动器偏置电源的自举二极 • 驱动高端和低端的两个 N 沟道 MOSFET\n• 集成自举二极管,适用于高端栅极驱动器\n• 自举电源电压范围高达 118 V\n•3 A 电源、6 A 灌输出电流功能\n• 驱动 1nF 负载,典型升/降时间为 6 ns/4 ns\n• TTL 兼容的输入阈值\n• 供应电源范围广:8 V - 16 V(绝对最大值 18 V)\n• 传播延迟时间快(典型值 30 ns)\n• 2 ns 延迟匹配(典型值)\n• 驱动电压欠压锁定 (UVLO) 保护\n• 工作结温范围:-40°C - 125°C;

ONSEMI

安森美半导体

FAN8811TMPX

Package:10-WDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MLP

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Power Switch:

    MOSFET

  • Number of Outputs:

    2

  • Topology:

    High-Low

  • Isolation Type:

    Junction Isolation

  • Vin Max (V):

    100

  • VCC Max (V):

    18

  • Drive Source/Sink Typ (mA):

    3000/6000

  • Rise Time (ns):

    6

  • Fall Time (ns):

    4

  • tp Max (ns):

    45

  • Package Type:

    WDFN-10

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更多FAN8811T供应商 更新时间2025-10-7 11:08:00