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FAN8811T | High-Frequency, High Side and Low Side Gate Driver IC 文件:901.36 Kbytes 页数:17 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
High-Frequency, High Side and Low Side Gate Driver IC 文件:901.36 Kbytes 页数:17 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
High-Frequency, High Side and Low Side Gate Driver IC 文件:341.87 Kbytes 页数:14 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
FAN8811T | 高频率,高压侧和低压侧门极驱动集成电路 FAN8811 是高端与低端栅极驱动 IC,设计用于高压、高速驱动 MOSFET,工作电压高达100 V。FAN8811 集成一个驱动器 IC 和自举二极管。 驱动器 IC 具有较低的延迟时间和匹配 PWM 输入传播延迟,从而进一步提高了零件的性能。高速双栅极驱动器旨在用半桥或同步降压驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET。 浮动高端驱动器能够使用高达 100 V 的供应电压工作。在双栅极驱动器中,高端和低端都有独立输入,在应用中可实现最大输入控制信号灵活性。 PWM 输入信号(高电平)可以为 3.3 V、5 V 或高达 VDD 逻辑输入,涵盖所有可能的应用情况。 高端驱动器偏置电源的自举二极 • 驱动高端和低端的两个 N 沟道 MOSFET\n• 集成自举二极管,适用于高端栅极驱动器\n• 自举电源电压范围高达 118 V\n•3 A 电源、6 A 灌输出电流功能\n• 驱动 1nF 负载,典型升/降时间为 6 ns/4 ns\n• TTL 兼容的输入阈值\n• 供应电源范围广:8 V - 16 V(绝对最大值 18 V)\n• 传播延迟时间快(典型值 30 ns)\n• 2 ns 延迟匹配(典型值)\n• 驱动电压欠压锁定 (UVLO) 保护\n• 工作结温范围:-40°C - 125°C; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
Package:10-WDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MLP | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
技术参数
- Pb-free:
Pb
- Halide free:
H
- Status:
Active
- Power Switch:
MOSFET
- Number of Outputs:
2
- Topology:
High-Low
- Isolation Type:
Junction Isolation
- Vin Max (V):
100
- VCC Max (V):
18
- Drive Source/Sink Typ (mA):
3000/6000
- Rise Time (ns):
6
- Fall Time (ns):
4
- tp Max (ns):
45
- Package Type:
WDFN-10
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON Semiconductor |
24+ |
10-MLP (4x4) |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
2136 |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
ON |
25+ |
DFN-10 |
4854 |
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询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN10 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
10MLP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
20+ |
QFN-10 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
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