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FAN8811T中文资料高频率,高压侧和低压侧门极驱动集成电路数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FAN8811T

参数属性

FAN8811T 封装/外壳为10-WDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MLP

功能描述

高频率,高压侧和低压侧门极驱动集成电路
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MLP

封装外壳

10-WDFN 裸露焊盘

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 18:28:00

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FAN8811T规格书详情

描述 Description

FAN8811 是高端与低端栅极驱动 IC,设计用于高压、高速驱动 MOSFET,工作电压高达100 V。FAN8811 集成一个驱动器 IC 和自举二极管。 驱动器 IC 具有较低的延迟时间和匹配 PWM 输入传播延迟,从而进一步提高了零件的性能。高速双栅极驱动器旨在用半桥或同步降压驱动高端和低端 N 沟道 MOSFET。 浮动高端驱动器能够使用高达 100 V 的供应电压工作。在双栅极驱动器中,高端和低端都有独立输入,在应用中可实现最大输入控制信号灵活性。 PWM 输入信号(高电平)可以为 3.3 V、5 V 或高达 VDD 逻辑输入,涵盖所有可能的应用情况。 高端驱动器偏置电源的自举二极管集成在此芯片中。 高端驱动器引用至开关节点 (HS),此开关节点通常是高端 MOSFET 的电源引脚和低端 MOSFET 的漏电引脚。 低端驱动器引用至通常接地的 VSS。 包含的功能有输入阶段、UVLO 保护、电平移动、自举二极管和输出驱动器阶段。

特性 Features

• 驱动高端和低端的两个 N 沟道 MOSFET
• 集成自举二极管,适用于高端栅极驱动器
• 自举电源电压范围高达 118 V
•3 A 电源、6 A 灌输出电流功能
• 驱动 1nF 负载,典型升/降时间为 6 ns/4 ns
• TTL 兼容的输入阈值
• 供应电源范围广:8 V - 16 V(绝对最大值 18 V)
• 传播延迟时间快(典型值 30 ns)
• 2 ns 延迟匹配(典型值)
• 驱动电压欠压锁定 (UVLO) 保护
• 工作结温范围:-40°C - 125°C

应用 Application

• Half-Bridge and Full-Bridge Converters
• Synchronous-Buck Converters
• Two-Switch Forward Converters
• Power Supplies for Telecom and Datacom
• Class-D Audio Amplifiers

简介

FAN8811T属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的FAN8811T栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FAN8811T

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Power Switch

    :MOSFET

  • Number of Outputs

    :2

  • Topology

    :High-Low

  • Isolation Type

    :Junction Isolation

  • Vin Max (V)

    :100

  • VCC Max (V)

    :18

  • Drive Source/Sink Typ (mA)

    :3000/6000

  • Rise Time (ns)

    :6

  • Fall Time (ns)

    :4

  • tp Max (ns)

    :45

  • Package Type

    :WDFN-10

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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