High-Current, High & Low-Side, Gate-Drive IC

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FAIRCHILD

仙童半导体

High-Current, High & Low-Side, Gate-Drive IC

文件：1.08438 Mbytes 页数：15 Pages

ONSEMI

安森美半导体

625 V、3.3/5 V 输入逻辑兼容，4.5/4.5 A 灌电流/源电流，包含先进输入滤波器的高低端栅极驱动 IC

FAN7391 是单片高侧和低侧栅极驱动 IC，可驱动工作在高达 +600 V 电压的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管设计用于实现高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。Fairchild 的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路，能使高侧栅极驱动器的工作电压在 VBS=15 V 时高达 VS=-9.8 V（典型值）。HIN 的先进输入滤波器针对噪声产生的短脉冲输入信号提供保护功能。当VDD和 VBS小于指定阈值电压时，欠压锁定 (UVLO) 电路可防止发生故障。其高电流和低输出压降特性确保此器件适用 •浮动通道可实现高达 +600 V 的自举运行\n•4.5 A/4.5 A 的典型源电流/灌电流驱动能力\n•共模 dv/dt 噪声消除电路\n•两个通道均内置欠压闭锁功能\n•内置先进输入滤波器\n•适用于两个通道的匹配传播延迟\n•逻辑 (VSS) 和电源 (COM) 接地 ±5 V 偏置\n•兼容 3.3 V 和 5 V 输入逻辑\n•输出与输入同相;

ONSEMI

安森美半导体

High-Current, Half-Bridge, Gate-Driver IC

文件：3.63448 Mbytes 页数：22 Pages

ONSEMI

安森美半导体

High-Current, High & Low-Side, Gate-Driver IC

文件：456.6 Kbytes 页数：18 Pages

ONSEMI

安森美半导体

High-Current, High & Low-Side, Gate-Driver IC

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仙童半导体

1200V 高电流，半桥，门极驱动器集成电路 (HVIC)

FAN73912 是单片半桥栅极驱动 IC，设计用于高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +1200 V。 HIN 的先进输入滤波器针对噪声产生的短脉冲输入信号提供保护功能。 先进的电平转换电路，能使高侧栅极驱动器的工作电压在 VBS=15V 时高达 VS=-9.8 V（典型值）。UVLO 电路可防止VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时发生故障。 输入驱动器的源泉电流和灌电流分别为 2 A 和 3 A。 • 浮动通道可实现高达 +1200 V 的自举运行 \n• 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为 2 A/3 A \n• 栅极驱动电源 (VCC) 范围从 12 V 至 20 V \n• 单独逻辑供电(VDD)，范围为3 V至20 V \n• 在 VCC= VBS= 15 V 时信号传播过程中，允许负 VS摆幅扩大至低达 -9.8 V \n• 内置逐周期边沿触发关断逻辑\n• 内置直通预防逻辑 \n• 共模dv/dt噪声消除电路 \n• 双通道的欠压锁定功能 \n• 内置高性能输入滤波器 \n• 匹配传播延迟低于50ns \n• 输出与输入信号同相 \n• 逻辑和电源接地 +/- 10 V 偏;

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