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FAN73912

High-Current, Half-Bridge, Gate-Driver IC

文件:3.63448 Mbytes 页数:22 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FAN73912

1200V 高电流,半桥,门极驱动器集成电路 (HVIC)

FAN73912 是单片半桥栅极驱动 IC,设计用于高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 +1200 V。 HIN 的先进输入滤波器针对噪声产生的短脉冲输入信号提供保护功能。 先进的电平转换电路,能使高侧栅极驱动器的工作电压在 VBS=15V 时高达 VS=-9.8 V(典型值)。UVLO 电路可防止VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时发生故障。 输入驱动器的源泉电流和灌电流分别为 2 A 和 3 A。 • 浮动通道可实现高达 +1200 V 的自举运行 \n• 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为 2 A/3 A \n• 栅极驱动电源 (VCC) 范围从 12 V 至 20 V \n• 单独逻辑供电(VDD),范围为3 V至20 V \n• 在 VCC= VBS= 15 V 时信号传播过程中,允许负 VS摆幅扩大至低达 -9.8 V \n• 内置逐周期边沿触发关断逻辑\n• 内置直通预防逻辑 \n• 共模dv/dt噪声消除电路 \n• 双通道的欠压锁定功能 \n• 内置高性能输入滤波器 \n• 匹配传播延迟低于50ns \n• 输出与输入信号同相 \n• 逻辑和电源接地 +/- 10 V 偏;

ONSEMI

安森美半导体

FAN73912A

High-Current, High & Low-Side, Gate-Driver IC

文件:456.6 Kbytes 页数:18 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FAN73912AMX

High-Current, High & Low-Side, Gate-Driver IC

文件:456.6 Kbytes 页数:18 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FAN73912MX

High-Current, Half-Bridge, Gate-Driver IC

文件:3.63448 Mbytes 页数:22 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FAN73912A

1200V High-Current, High & Low-Side, Gate-Driver IC (HVIC)

The FAN73912A is a monolithic high and low-side gate-drive IC designed for high-voltage and high-speed driving for MOSFETs and IGBTs that operate up to +1200 V. The advanced input filter of HIN provides protection against short-pulsed input signals caused by noise. An advanced level-shift circuit of • Floating Channel for Bootstrap Operation to +1200 V\n• High voltage gate driver up to 1200 V\n• Typically 2 A/ 3 A Sourcing/Sinking Current Driving Capability for Both Channels\n• High driving capability\n• Gate Driver Supply (VCC) Range from 12 V to 20 V\n• Wide Vcc supply range\n• Separate Logic;

ONSEMI

安森美半导体

FAN73912AMX

Package:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:1200V HIGH-CURRENT, HALF-BRIDGE,

ONSEMI

安森美半导体

FAN73912MX

Package:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Power Switch:

    MOSFET/IGBT

  • Number of Outputs:

    2

  • Topology:

    Half-Bridge

  • Isolation Type:

    Junction Isolation

  • Vin Max (V):

    1225

  • VCC Max (V):

    25

  • Drive Source/Sink Typ (mA):

    2000/3000

  • Rise Time (ns):

    25

  • Fall Time (ns):

    15

  • Package Type:

    SOIC-16W

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ON/安森美
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更多FAN73912供应商 更新时间2026-2-1 10:31:00