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FAN73912 | High-Current, Half-Bridge, Gate-Driver IC 文件:3.63448 Mbytes 页数:22 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
FAN73912 | 1200V 高电流,半桥,门极驱动器集成电路 (HVIC) FAN73912 是单片半桥栅极驱动 IC,设计用于高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 +1200 V。 HIN 的先进输入滤波器针对噪声产生的短脉冲输入信号提供保护功能。 先进的电平转换电路,能使高侧栅极驱动器的工作电压在 VBS=15V 时高达 VS=-9.8 V(典型值)。UVLO 电路可防止VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时发生故障。 输入驱动器的源泉电流和灌电流分别为 2 A 和 3 A。 • 浮动通道可实现高达 +1200 V 的自举运行 \n• 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为 2 A/3 A \n• 栅极驱动电源 (VCC) 范围从 12 V 至 20 V \n• 单独逻辑供电(VDD),范围为3 V至20 V \n• 在 VCC= VBS= 15 V 时信号传播过程中,允许负 VS摆幅扩大至低达 -9.8 V \n• 内置逐周期边沿触发关断逻辑\n• 内置直通预防逻辑 \n• 共模dv/dt噪声消除电路 \n• 双通道的欠压锁定功能 \n• 内置高性能输入滤波器 \n• 匹配传播延迟低于50ns \n• 输出与输入信号同相 \n• 逻辑和电源接地 +/- 10 V 偏; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
High-Current, High & Low-Side, Gate-Driver IC 文件:456.6 Kbytes 页数:18 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
High-Current, High & Low-Side, Gate-Driver IC 文件:456.6 Kbytes 页数:18 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
High-Current, Half-Bridge, Gate-Driver IC 文件:3.63448 Mbytes 页数:22 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
1200V High-Current, High & Low-Side, Gate-Driver IC (HVIC) The FAN73912A is a monolithic high and low-side gate-drive IC designed for high-voltage and high-speed driving for MOSFETs and IGBTs that operate up to +1200 V. The advanced input filter of HIN provides protection against short-pulsed input signals caused by noise. An advanced level-shift circuit of • Floating Channel for Bootstrap Operation to +1200 V\n• High voltage gate driver up to 1200 V\n• Typically 2 A/ 3 A Sourcing/Sinking Current Driving Capability for Both Channels\n• High driving capability\n• Gate Driver Supply (VCC) Range from 12 V to 20 V\n• Wide Vcc supply range\n• Separate Logic; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Package:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:1200V HIGH-CURRENT, HALF-BRIDGE, | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Package:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
技术参数
- Pb-free:
Pb
- Halide free:
H
- Status:
Active
- Power Switch:
MOSFET/IGBT
- Number of Outputs:
2
- Topology:
Half-Bridge
- Isolation Type:
Junction Isolation
- Vin Max (V):
1225
- VCC Max (V):
25
- Drive Source/Sink Typ (mA):
2000/3000
- Rise Time (ns):
25
- Fall Time (ns):
15
- Package Type:
SOIC-16W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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SOP16 |
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