High-Side Gate Driver

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FAIRCHILD

仙童半导体

High-Side Gate Driver

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FAIRCHILD

仙童半导体

High-Side Gate Driver

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ONSEMI

安森美半导体

单通道高侧栅极驱动

FAN73611 是一款单片高侧栅极驱动 IC，可驱动工作电压高达 +600 V 的 MOSFET 和 IGBT。 Fairchild 采用高压工艺和共模噪声消除技术，可在高 dv/dt 噪声环境下实现高侧驱动器的稳定运行。 先进的电平转换电路，能使高侧栅极驱动器的工作电压在 VBS=15V时高达 VS=-9.8V（典型值）。 当VDD和VBS小于指定阈值电压时，欠压闭锁(UVLO)电路可防止发生故障。 输出驱动器的源电流和灌电流典型值分别为 250 mA 和 500 mA，适合等离子显示板 (PDP) 应用、电机驱动逆变器和开关模式电源应用。 •浮动通道可实现高达 +600 V 的自举运行\n•250 mA/500 mA 的源电流/灌电流驱动能力\n•共模dv/dt噪声消除电路\n•兼容 3.3 V 和 5 V 输入逻辑\n•输出与输入信号同相\n•VDD和 VBS欠压闭锁\n•8 引脚小外形封装 (SOP);

ONSEMI

安森美半导体

单沟道高压侧门极驱动集成电路

FAN73611_OP 是一款单片高侧栅极驱动 IC，可在工作电压高达 +600 V 时驱动 MOSFET 和 IGBT。 Fairchild 采用高压工艺和共模噪声消除技术，可在高 dv/dt 噪声环境下实现高侧驱动器的稳定运行。 先进的电平转换电路，能使高侧栅极驱动器的工作电压在 VBS=15V时高达 VS=-9.8V（典型值）。 当VDD和VBS小于指定阈值电压时，欠压闭锁(UVLO)电路可防止发生故障。 输出驱动器的源电流和灌电流典型值分别为 250 mA 和 500 mA，适合等离子显示板 (PDP) 应用、电机驱动逆变器和开关模式电源应用。 • 浮动通道可实现高达 +600 V 的自举运行\n• 250 mA/ 500mA 的源电流/灌电流驱动能力\n• 共模dv/dt噪声消除电路\n• 兼容 3.3V 和 5V 输入逻辑\n• 输出与输入信号同相位\n• VDD和 VBS欠压闭锁\n• 8-引脚小尺寸封装 (SOP);

ONSEMI

安森美半导体

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOP

ONSEMI

安森美半导体