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FAN73611 | Single-Channel High-Side Gate Drive IC Description The FAN73611 is a monolithic high-side gate drive IC that can drive MOSFETs and IGBTs operating up to +600V. Fairchild’s high-voltage process and common mode noise canceling techniques provide stable operation of the high-side driver under high dv/dt noise circumstances. Featur 文件:350.39 Kbytes 页数:13 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | |
FAN73611 | Single-Channel High-Side Gate Drive IC 文件:2.11402 Mbytes 页数:14 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
FAN73611 | 单通道高侧栅极驱动 FAN73611 是一款单片高侧栅极驱动 IC,可驱动工作电压高达 +600 V 的 MOSFET 和 IGBT。 Fairchild 采用高压工艺和共模噪声消除技术,可在高 dv/dt 噪声环境下实现高侧驱动器的稳定运行。 先进的电平转换电路,能使高侧栅极驱动器的工作电压在 VBS=15V时高达 VS=-9.8V(典型值)。 当VDD和VBS小于指定阈值电压时,欠压闭锁(UVLO)电路可防止发生故障。 输出驱动器的源电流和灌电流典型值分别为 250 mA 和 500 mA,适合等离子显示板 (PDP) 应用、电机驱动逆变器和开关模式电源应用。 •浮动通道可实现高达 +600 V 的自举运行\n•250 mA/500 mA 的源电流/灌电流驱动能力\n•共模dv/dt噪声消除电路\n•兼容 3.3 V 和 5 V 输入逻辑\n•输出与输入信号同相\n•VDD和 VBS欠压闭锁\n•8 引脚小外形封装 (SOP); | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
Single-Channel High-Side Gate Drive IC Description The FAN73611 is a monolithic high-side gate drive IC that can drive MOSFETs and IGBTs operating up to +600V. Fairchild’s high-voltage process and common mode noise canceling techniques provide stable operation of the high-side driver under high dv/dt noise circumstances. Featur 文件:350.39 Kbytes 页数:13 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
Single-Channel High-Side Gate Drive IC Description The FAN73611 is a monolithic high-side gate drive IC that can drive MOSFETs and IGBTs operating up to +600V. Fairchild’s high-voltage process and common mode noise canceling techniques provide stable operation of the high-side driver under high dv/dt noise circumstances. Featur 文件:350.39 Kbytes 页数:13 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
Single-Channel High-Side Gate Drive IC 文件:2.11402 Mbytes 页数:14 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
单沟道高压侧门极驱动集成电路 FAN73611_OP 是一款单片高侧栅极驱动 IC,可在工作电压高达 +600 V 时驱动 MOSFET 和 IGBT。 Fairchild 采用高压工艺和共模噪声消除技术,可在高 dv/dt 噪声环境下实现高侧驱动器的稳定运行。 先进的电平转换电路,能使高侧栅极驱动器的工作电压在 VBS=15V时高达 VS=-9.8V(典型值)。 当VDD和VBS小于指定阈值电压时,欠压闭锁(UVLO)电路可防止发生故障。 输出驱动器的源电流和灌电流典型值分别为 250 mA 和 500 mA,适合等离子显示板 (PDP) 应用、电机驱动逆变器和开关模式电源应用。 • 浮动通道可实现高达 +600 V 的自举运行\n• 250 mA/ 500mA 的源电流/灌电流驱动能力\n• 共模dv/dt噪声消除电路\n• 兼容 3.3V 和 5V 输入逻辑\n• 输出与输入信号同相位\n• VDD和 VBS欠压闭锁\n• 8-引脚小尺寸封装 (SOP); | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
技术参数
- Pb-free:
Pb
- Halide free:
H
- Status:
Active
- Power Switch:
MOSFET/IGBT
- Number of Outputs:
1
- Topology:
High Side
- Isolation Type:
Junction Isolation
- Vin Max (V):
625
- VCC Max (V):
25
- Drive Source/Sink Typ (mA):
250/500
- Rise Time (ns):
70
- Fall Time (ns):
30
- tp Max (ns):
170
- Package Type:
SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD |
23+ |
SOP-8 |
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- SE1
- PI7C8150B
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- PERICOMPI7C8150
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