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FAN3122TMX_F085

Single 9-A High-Speed, Low-Side Gate Driver

文件:1.61715 Mbytes 页数:21 Pages

Fairchild

仙童半导体

FAN3122TMX_F085_12

Single 9A High-Speed, Low-Side Gate Driver

文件:1.19374 Mbytes 页数:20 Pages

Fairchild

仙童半导体

FAN3122T

TTL 输入,非反相单输出,峰值 11.4A 汲电流,10.6A 源电流,低压侧门极驱动器

FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器设计为通过提供高峰值电流脉冲来驱动低侧开关应用中的 N 沟道增强型 MOSFET。此类驱动器可以提供TTL (FAN312xT)或CMOS (FAN312xC)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态,直到电源电压进入工作范围,从而提供欠压锁定功能。 FAN312x 驱动器内置用于最终输出级的 MillerDrive™ 架构。这一双极性/MOSFET 组合可在 MOSFET 开/关过程的米勒平台区域期间提供最高的峰值电流。 FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN)上实施使能功能,这在过去业界标准引脚排列上未曾用过。该 •带使能输入的业界标准引脚排列\n•4.5 到 18 V 工作范围\n•11.4 A 峰值灌电流,VDD = 12 V\n•9.7A灌电流/7.1A源电流,VOUT = 6V\n•反相配置 (FAN3121) 和同相配置 (FAN3122)\n•无输入时内部电阻关闭驱动器\n•23ns/19ns典型升/降时间,10nF负载\n•20ns典型传播延迟时间\n•可选择TTL或CMOS输入阈值\n•MillerDrive™ 技术以热保护增强3x3毫米 8引脚MLP或8引脚SOIC封装(无铅工艺)形式提供\n•额定温度为 –40°C 到 +125°C\n•Rated from –40°C to +12;

ONSEMI

安森美半导体

FAN3122T_F085

单 9 A 高速,低压侧门极驱动器

FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器设计为通过提供高峰值电流脉冲来驱动低侧开关应用中的 N 沟道增强型 MOSFET。驱动器既满足 TTL 输入阀值 (FAN312xT) 的要求,也满足与 VDD 成比例的 CMOS输入阀值要求 (FAN312xC)。内部电路可使输出保持低电平状态,直到电源电压进入工作范围,从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器内置用于最终输出级的 MillerDrive™ 架构。这一双极性/MOSFET 组合可在 MOSFET 开/关过程的米勒平台区域期间提供最高的峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN)上实施使能功

ONSEMI

安森美半导体

FAN3122TM1X-F085

单 9 A 高速,低压侧门极驱动器

The FAN3121 and FAN3122 MOSFET drivers are designed to drive N-channel enhancement MOSFETs in low-side switching applications by providing high peak current pulses. The drivers are available with either TTL input thresholds (FAN312xT) or VDD-proportional CMOSinput thresholds (FAN312xC). Internal cir • SO8 with Exposed Pad\n• enhanced heat dissipation for fast switching application;

ONSEMI

安森美半导体

FAN3122TMPX

Package:8-WDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MLP

ONSEMI

安森美半导体

FAN3122TMX

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

FAN3122TMX-F085

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Power Switch:

    MOSFET

  • Number of Outputs:

    1

  • Topology:

    Single

  • Isolation Type:

    Non-Isolated

  • VCC Max (V):

    18

  • Drive Source/Sink Typ (mA):

    11400/10600

  • Rise Time (ns):

    23

  • Fall Time (ns):

    19

  • tp Max (ns):

    35

  • Package Type:

    SOIC-8

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更多FAN3122T供应商 更新时间2025-10-13 15:51:00