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FAN3122TM1X-F085 | 单 9 A 高速,低压侧门极驱动器 The FAN3121 and FAN3122 MOSFET drivers are designed to drive N-channel enhancement MOSFETs in low-side switching applications by providing high peak current pulses. The drivers are available with either TTL input thresholds (FAN312xT) or VDD-proportional CMOSinput thresholds (FAN312xC). Internal cir • SO8 with Exposed Pad\n• enhanced heat dissipation for fast switching application; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
FAN3122TM1X-F085 | Single 9-A High-Speed,Low-Side Gate Driver Description The FAN3121 and FAN3122 MOSFET drivers are designed to drive N−channel enhancement MOSFETs in low−side switching applications by providing high peak current pulses. The drivers are available with either TTL input thresholds (FAN312xT) or VDD−proportional CMOS input thresholds (FAN 文件:1.82072 Mbytes 页数:20 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
FAN3122TM1X-F085 | Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR DUAL 4A HI/LO SPEED | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
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产品属性
- 产品编号:
FAN3122TM1X-F085
- 制造商:
onsemi
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 系列:
Automotive, AEC-Q100
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
低端
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 18V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
10.6A,11.4A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
23ns,19ns
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
- 供应商器件封装:
8-SOIC-EP
- 描述:
IC GATE DRVR DUAL 4A HI/LO SPEED
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
SOP-8-EP |
2669 |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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onsemi |
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原厂封装 |
10000 |
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ON Sem |
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onsemi/安森美 |
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