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F50L2G41XA-104YG2B	文件：1.47306 Mbytes Page：49 Pages	3.3V 2 Gbit SPI-NAND Flash Memory 文件：1.47306 Mbytes 页数：49 Pages	ESMTElite Semiconductor Memory Technology Inc. 晶豪科技晶豪科技股份有限公司	ESMT
F50L4G41XB	文件：1.47121 Mbytes Page：51 Pages	3.3V 4 Gbit SPI-NAND Flash Memory 文件：1.47121 Mbytes 页数：51 Pages	ESMTElite Semiconductor Memory Technology Inc. 晶豪科技晶豪科技股份有限公司	ESMT
F50L4G41XB-104RAG2X	文件：1.47121 Mbytes Page：51 Pages	3.3V 4 Gbit SPI-NAND Flash Memory 文件：1.47121 Mbytes 页数：51 Pages	ESMTElite Semiconductor Memory Technology Inc. 晶豪科技晶豪科技股份有限公司	ESMT
F50L4G41XB-133RAG2X	文件：1.47121 Mbytes Page：51 Pages	3.3V 4 Gbit SPI-NAND Flash Memory 文件：1.47121 Mbytes 页数：51 Pages	ESMTElite Semiconductor Memory Technology Inc. 晶豪科技晶豪科技股份有限公司	ESMT
F50L512M41A	文件：700.52 Kbytes Page：36 Pages	SPI-NAND Flash Memory 文件：700.52 Kbytes 页数：36 Pages	ESMTElite Semiconductor Memory Technology Inc. 晶豪科技晶豪科技股份有限公司	ESMT
F50N06	文件：808.18 Kbytes Page：10 Pages	丝印：F50N06；Package：TO-220F；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：808.18 Kbytes 页数：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F50N06	文件：807.77 Kbytes Page：10 Pages	丝印：F50N06；Package：TO-220F；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：807.77 Kbytes 页数：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F50N06	文件：808.72 Kbytes Page：10 Pages	丝印：F50N06；Package：TO-220F；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：808.72 Kbytes 页数：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
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F50N06	文件：807.99 Kbytes Page：10 Pages	丝印：F50N06；Package：TO-220F；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：807.99 Kbytes 页数：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH

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产品属性

产品编号：
F50
制造商：
TE Connectivity ALCOSWITCH Switches
类别：
开关 > 可配置开关元件 - 触头块，触点块
系列：
Reliant'22
包装：
散装
电路：
SPST-NO
要求：
开关机壳
端接样式：
快速连接 - 0.110"/0.250"
不同电压时额定接触电流：
6A @ 120VAC
（先选择，然后应用筛选条件）兼容系列：
TE，Reliant'22
描述：
SWITCH CONTACT BLOCK 6A GREEN

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