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F4200R

3.3V HCMOS CERAMIC SMD OSCILLATOR WITH STANDBY

文件:87.57 Kbytes 页数:1 Pages

FOX

F4200R06KL4BOSA1

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4

Infineon

英飞凌

F4200R12N3H3FB11BPSA1

包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-411

Infineon

英飞凌

F4200R17N3E4B58BPSA1

包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-411

Infineon

英飞凌

F4200R17N3E4BPSA1

Package:模块;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述:IGBT MOD 1700V 200A 20MW

Infineon

英飞凌

技术参数

  • 配置:

    全桥

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    600V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    225A

  • 功率 - 最大值:

    695W

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):

    2.55V @ 15V,200A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    5mA

  • 不同 Vce 时的输入电容(Cies):

    9nF @ 25V

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

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更多F4200R供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00