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F4200R06KL4BOSA1中文资料MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4数据手册Infineon规格书

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厂商型号

F4200R06KL4BOSA1

参数属性

F4200R06KL4BOSA1 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 600V 225A 695W

功能描述

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4
IGBT MOD 600V 225A 695W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-17 23:00:00

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F4200R06KL4BOSA1规格书详情

简介

F4200R06KL4BOSA1属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的F4200R06KL4BOSA1晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :F4200R06KL4BOSA1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 配置

    :全桥

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :600V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :225A

  • 功率 - 最大值

    :695W

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :2.55V @ 15V,200A

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :5mA

  • 不同 Vce 时的输入电容(Cies)

    :9nF @ 25V

  • 输入

    :标准

  • NTC 热敏电阻

    :无

  • 工作温度

    :-40°C ~ 125°C

  • 安装类型

    :底座安装

  • 封装/外壳

    :模块

  • 供应商器件封装

    :模块

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