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丝印：F3**；Package：SOT-26；50mA and 100mA CMOS LDOs with Shutdown, ERROR Output and VREF Bypass 文件：658.94 Kbytes 页数：22 Pages | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP | ||
丝印：F3***；Package：SOT-23；P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：42.25 Kbytes 页数：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
丝印：F3***；Package：SOT-23；P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：197.71 Kbytes 页数：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY |
详细参数
- 型号：
F3**
- 功能描述：
低压差稳压器 - LDO .1mA w/Shtdn & Error 3.0V
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 最大输入电压：
36 V
- 输出电压：
1.4 V to 20.5 V
- 回动电压（最大值）：
307 mV
- 输出电流：
1 A
- 负载调节：
0.3 %
- 输出类型：
Fixed
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
VQFN-20
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2026-1-17 16:00:00
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