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TZ2709A	文件：95.69 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.520.945MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforcustomerforuseinwirelesscommunications devices,espec	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UC2709	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC2709	文件：178.82 Kbytes Page：5 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC2709DW	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC2709N	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UPA2709AGR	文件：344 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2709AGRisN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Lo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2709GR	文件：341.86 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2709GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Low	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2709T	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5GHzSILICONMMICWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2709T	文件：313.12 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V •Widebandresponse:fu=2.3GHzTYP.@3dBbandwidth •Mediumoutputpower:PO(sat)=+11.5dBm@f=1GHzwithexternalinductor •Powergain:GP=23dBTYP.@f=1GHz •Portimpedance:input/output50W	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2709T	文件：95.82 Kbytes Page：6 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC2709TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas1stIFamplifierforDBStuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. TheµPC2709TBhascompatiblepinconnectionsandperformancetoµPC2709Tofconventionalm	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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