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UC2709DW	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUAL HIGH-SPEED FET DRIVER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC2709DW	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
UC2709DWG4	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUAL HIGH-SPEED FET DRIVER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC2709N	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UPA2709AGR	文件：344 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2709AGRisN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Lo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2709GR	文件：341.86 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2709GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Low	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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