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UPA2709AGR	文件：344 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2709AGRisN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Lo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2709GR	文件：341.86 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2709GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofnotebookcomputer. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •Low	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2709T	文件：313.12 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V •Widebandresponse:fu=2.3GHzTYP.@3dBbandwidth •Mediumoutputpower:PO(sat)=+11.5dBm@f=1GHzwithexternalinductor •Powergain:GP=23dBTYP.@f=1GHz •Portimpedance:input/output50W	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2709T	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5GHzSILICONMMICWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2709T	文件：95.82 Kbytes Page：6 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC2709TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas1stIFamplifierforDBStuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. TheµPC2709TBhascompatiblepinconnectionsandperformancetoµPC2709Tofconventionalm	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2709TB	文件：470.97 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2709TB	文件：225.08 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •High-densitysurfacemounting:6-pinsuperminimoldpackage(2.0´1.25´0.9mm) •Widebandresponse:fu=2.3GHzTYP.@3dBbandwidth •Mediumoutputpower:PO(sat)=+11.5dBm@f=1GHzwithexternalinductor •Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V •Powergain:GP=23dBT	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2709TB	文件：95.82 Kbytes Page：6 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC2709TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas1stIFamplifierforDBStuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. TheµPC2709TBhascompatiblepinconnectionsandperformancetoµPC2709Tofconventionalm	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2709TB	文件：93.59 Kbytes Page：16 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2709TB	文件：416.77 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT	CEL California Eastern Labs	CEL

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更多UPA2709AGR供应商更新时间2025-7-24 17:06:00

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