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UPC2709T	文件：95.82 Kbytes Page：6 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC2709TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas1stIFamplifierforDBStuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. TheµPC2709TBhascompatiblepinconnectionsandperformancetoµPC2709Tofconventionalm	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2709T	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2709T	文件：313.12 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V •Widebandresponse:fu=2.3GHzTYP.@3dBbandwidth •Mediumoutputpower:PO(sat)=+11.5dBm@f=1GHzwithexternalinductor •Powergain:GP=23dBTYP.@f=1GHz •Portimpedance:input/output50W	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2709TB	文件：95.82 Kbytes Page：6 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC2709TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas1stIFamplifierforDBStuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. TheµPC2709TBhascompatiblepinconnectionsandperformancetoµPC2709Tofconventionalm	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2709TB	文件：225.08 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUITS FEATURES •High-densitysurfacemounting:6-pinsuperminimoldpackage(2.0´1.25´0.9mm) •Widebandresponse:fu=2.3GHzTYP.@3dBbandwidth •Mediumoutputpower:PO(sat)=+11.5dBm@f=1GHzwithexternalinductor •Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V •Powergain:GP=23dBT	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2709TB-E3	文件：95.82 Kbytes Page：6 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC2709TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas1stIFamplifierforDBStuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. TheµPC2709TBhascompatiblepinconnectionsandperformancetoµPC2709Tofconventionalm	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2709TB-E3	文件：225.08 Kbytes Page：18 Pages	Marking：C1E；BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUITS FEATURES •High-densitysurfacemounting:6-pinsuperminimoldpackage(2.0´1.25´0.9mm) •Widebandresponse:fu=2.3GHzTYP.@3dBbandwidth •Mediumoutputpower:PO(sat)=+11.5dBm@f=1GHzwithexternalinductor •Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V •Powergain:GP=23dBT	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2709T-E3	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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UPC2709TB	文件：470.97 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUITS	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
UPC2709T
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
2.5 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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