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ERG2SJ681V	文件：300 bytes Page：1 Pages	金属（氧化物）覆膜固定电阻器	Panasonic 松下	Panasonic
2SJ681	文件：160.7 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U−MOSIII) 文件：160.7 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ681	文件：253.7 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U−MOSIII) Relay Drive, DC−DC Converter and Motor Drive Applications ● 4-V gate drive ● Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.12 Ω (typ.) (VGS = −10 V) ● High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 5.0 S (typ.) ● Low leakage current: IDSS = −100 μA (max) (VDS = −60 V) ● Enhancement mode: Vth = −0.8 文件：253.7 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ681	文件：976.18 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：976.18 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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