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ERG2SJ200V	文件：300 bytes Page：1 Pages	金属（氧化物）覆膜固定电阻器	Panasonic 松下	Panasonic
2SJ200	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ200	文件：297.65 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Power Amplifier Application • High breakdown voltage : VDSS = −180 V • High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 4.0 S (typ.) • Complementary to 2SK1529 文件：297.65 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SJ200	文件：426.58 Kbytes Page：5 Pages	High Power Amplifier Application 文件：426.58 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

额定功率 (W)：
2
片式尺寸(长 x 宽) (mm)：
无规定
电阻值 (Ω)：
20
电阻值容差 (%)：
5
包装形状：
Axial Taping (Ammo box)
电阻温度系数 (×10⁻⁶/°C)：
±350

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ERG2SJ200V供应商更新时间2025-11-5 15:01:00

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