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ER2003FCT	文件：97.66 Kbytes Page：2 Pages	ISOLATION SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O. Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 • Low power loss, high efficiency. • Low forwrd voltge, high current capability • High surge capacit 文件：97.66 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
ER2003FCT	文件：300 bytes Page：1 Pages	极快速恢复整流器	Panjit 強茂	Panjit
ER2003FCT_T0_00001	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：ISOLATION SUPERFAST RECOVERY REC	Panjit International Inc.	Panjit International Inc.
E-TDA2003V	文件：301 Kbytes Page：10 Pages	10W CAR RADIO AUDIO AMPLIFIER 文件：301 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
E-ULN2003A	文件：930.86 Kbytes Page：16 Pages	Seven Darlington array 文件：930.86 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
F2003	文件：37.6 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime 文件：37.6 Kbytes 页数：2 Pages	POLYFET	POLYFET

技术参数

IF[A]：
20
VRRM Max.[V]：
300
trr[ns]：
50
IFSM[A]：
150
VF@IF Max.[V]：
1.3
VF@IF Max.[A]：
10
IR@VR Max.[µA]：
1
IR@VR Max.[V]：
300
Package：
ITO-220AB

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