EPC2088: 100 V, 231 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

• 超高效率\n• No reverse recovery\n• 超低QG\n• 尺寸更小型化;

EPC

宜普

包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE

EPC

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件：90.1 Kbytes 页数：7 Pages

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件：90.1 Kbytes 页数：7 Pages

RENESAS

瑞萨

PAINTED TEXTURED GRAY RAL 7035

文件：114.43 Kbytes 页数：1 Pages

HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司