EPC2088数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
EPC2088 |
| 参数属性 | EPC2088 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE |
| 功能描述 | EPC2088: 100 V, 231 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor |
| 制造商 | EPC EPC（Efficient Power Conversion） |
| 中文名称 | 宜普 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 11:40:00 |
| 人工找货 | EPC2088价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
EPC2088规格书详情
特性 Features
• 超高效率
• No reverse recovery
• 超低QG
• 尺寸更小型化
应用 Application
• DC/DC 转换器
• 无刷直流电机驱动器
• 面向AC/DC及DC/DC应用的同步整流
• 负载点（POL）转换器
• USB-C
• 激光雷达
• D类音频放大器
• LED照明
• eMobility
简介
EPC2088属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的EPC2088晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：EPC2088
- 生产厂家
：EPC
- 配置
：单路
- VDS最大值
：100
- VGS最大值
：6
- RDS(on)(mΩ)最大值@5VGS
：3.2
- QG(nC)典型值
：10.5
- QGS(nC)典型值
：3.2
- QGD(nC)典型值
：1.5
- QOSS(nC)典型值
：46
- ID (A)
：60
- 脉冲电流 ID (A)
：231
- 封装(mm)
：LGA 3.5 x 1.95
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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