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EPC2069数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

EPC2069

参数属性

EPC2069 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE

功能描述

增强型功率晶体管
GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE

制造商

EPC EPC(Efficient Power Conversion)

中文名称

宜普

数据手册

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更新时间

2025-8-8 10:36:00

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EPC2069规格书详情

特性 Features

• 开关频率更快 – 更低开关损耗及更低驱动功率
• 效率更高 - 更低传导及开关损耗、零反向恢复损耗
• 占板面积更小– 实现更高功率密度的电源转换

应用 Application

• DC/DC 转换器
• 无刷直流电机驱动器
• 面向AC/DC及DC/DC应用的同步整流
• 光学遥感技术/脉冲式功率应用
• D类音频放大器
• 发光二极管照明

简介

EPC2069属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的EPC2069晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :EPC2069

  • 生产厂家

    :EPC

  • 配置

    :单路

  • VDS最大值

    :40

  • VGS最大值

    :6

  • RDS(on)(mΩ)最大值@5VGS

    :2.25

  • QG(nC)典型值

    :12.5

  • QGS(nC)典型值

    :3.9

  • QGD(nC)典型值

    :2.4

  • QOSS(nC)典型值

    :32

  • ID (A)

    :80

  • 脉冲电流 ID (A)

    :422

  • 封装(mm)

    :LGA 3.25 x 3.25

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