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FST2040	文件：151.76 Kbytes Page：2 Pages	20AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS ●Schottkybarrierrectifier ●Guardringforreverseprotection ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highsurgecapacity ●VRRM35to45Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GF2040C	文件：186.02 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
GF2040PC	文件：299.33 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
GSIB2040	文件：104.26 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GSIB2040	文件：142.17 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERVoltage:50to1000VCurrent:20.0A	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
GSIB2040	文件：55.79 Kbytes Page：2 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 •ThisseriesisULlistedundertheRecognized ComponentIndex,filenumberE54214. •Highcasedielectricstrengthof2500VRMS •Idealforprintedcircuitboards •Glasspassivate	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GSIB2040	文件：93 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers FEATURES •ULrecognitionfilenumberE54214 •Thinsinglein-linepackage •Glasspassivatedchipjunction •Highsurgecurrentcapability •Highcasedielectricstrengthof2500VRMS •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GSIB2040N	文件：92.33 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers FEATURES •ULrecognitionfilenumberE54214 •Thinsinglein-Iinepackage •Glasspassivatedchipjunction •Highsurgecurrentcapability •Highcasedielectricstrengthof2500VRMS •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
HAT2040R	文件：49.85 Kbytes Page：10 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching Features •Capableof4Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistanceRDS(on)=6.2mtyp	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT2040R	文件：63.08 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=6.2mΩtyp •Capableof4Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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技术参数

配置：
单路
VDS最大值：
15
VGS最大值：
6
RDS(on)(mΩ)最大值@5VGS：
30
QG(nC)典型值：
0.745
QGS(nC)典型值：
0.23
QGD(nC)典型值：
0.14
QOSS(nC)典型值：
0.42
ID (A)：
3.4
脉冲电流 ID (A)：
28
封装(mm)：
BGA 0.85 x 1.2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EPC2040供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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