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EMT1	文件：80.59 Kbytes Page：4 Pages	Marking：T1；Package：EMT6；General Purpose Transistor Features 1)Two2SA1037AKchipsinaEMT,UMTorSMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3,UMT3orSMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf. Application GENERALPURPOSESMALLSIGNALA	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMT1	文件：80.16 Kbytes Page：4 Pages	Marking：T1；Package：EMT6；General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) Features 1)Two2SA1037AKchipsinaEMT,UMTorSMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3,UMT3orSMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf. Application GENERALPURPOSESMALLSIGNALA	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMT1	文件：80.59 Kbytes Page：4 Pages	Marking：T1；Package：EMT6；General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) Features 1)Two2SA1037AKchipsinaEMT,UMTorSMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3,UMT3orSMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf. Application GENERALPURPOSESMALLSIGNALA	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMT1	文件：80.59 Kbytes Page：4 Pages	Marking：T1；Package：EMT6；General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) Features 1)Two2SA1037AKchipsinaEMT,UMTorSMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3,UMT3orSMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf. Application GENERALPURPOSESMALLSIGNALA	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMT1	文件：101.12 Kbytes Page：4 Pages	Marking：T1；Package：EMT6；General Purpose Transistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMT1	文件：8.31219 Mbytes Page：4 Pages	DUAL TRANSISTOR(PN PPNP)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
EMT1	文件：73.11 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
EMT1	文件：100.79 Kbytes Page：4 Pages	Marking：T1；Package：EMT6；General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMT1	文件：648.84 Kbytes Page：1 Pages	General purpose transistors (dual digital transistors)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
EMT1DXV6	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual PNP Bipolar Transistor; • Lead−Free Solder Plating\n• These are Pb-Free Devices\n; The Dual PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT¿563 which is designed for low power surface mount applications.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
Dual PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
6
hFE Min：
120
hFE Max：
560
PTM Max (W)：
0.357
Package Type：
SOT-563

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更多EMT1供应商更新时间2025-7-27 14:14:00

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