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深圳市华来深电子有限公司

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EMT1

ROHMSMD

20000

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专做罗姆,一系列可以订货排单,只做原装正品假一罚十

深圳市振芯物联科技有限公司

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EMT1T2R

ROHM专注SOT-563

24000

26+

只做原装专注ROHM全部型号可以开增值税13点

深圳市华康联电子科技有限公司

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ONSEMIN/A

10000

24+

只做原装,实单最低价支持

深圳市华来深电子有限公司

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ROHMSMD

20000

25+

专做罗姆,一系列可以订货排单,只做原装正品假一罚十

深圳市创新迹电子有限公司

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ROHM/罗姆EMT6

9000

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原装现货,随时欢迎询价

深圳市索歌特科技有限公司

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ROHM

6743

26+

华南区总代

深圳市一线半导体有限公司

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ROHMSOT-563EMT6

65804

24+

新进库存/原装

深圳市莱克讯科技有限公司

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ROHMSOT563

9600

最新

原装公司现货假一罚十特价欢迎来电咨询

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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ROHMSOT563

170

25+

普通

洪芯国际半导体(深圳)有限公司

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ROHMNA

86720

26+

全新原装正品价格最实惠 假一赔百

深圳市科恒伟业电子有限公司

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ROHM/罗姆SOD523

6540

2450+

只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!

深圳诚思涵科技有限公司

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ROHMSOT563

10000

16+

进口原装现货/价格优势!

深圳市英瑞尔电子科技有限公司

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ROHMSOD523

598000

24+

原装现货假一赔十

深圳市纳艾斯科技有限公司

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ROHMSOT563

80000

24+

只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

中天科工半导体(深圳)有限公司

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ROHMEMT6

49000

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市能元时代电子有限公司

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恩XP

25383

23+

##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

深圳市威尔健半导体有限公司

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ROHM/罗姆EMT6

1108

23+

深圳市威雅利发展有限公司

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ROHMEMT6

1108

2017+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市华来深电子有限公司

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ROHMSOT563

8650

23+

受权代理!全新原装现货特价热卖!

深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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恩XP

115933

26+

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EMT1DXV6T1G价格

EMT1DXV6T1G价格:¥0.4220品牌:ON

生产厂家品牌为ON的EMT1DXV6T1G多少钱,想知道EMT1DXV6T1G价格是多少?参考价:¥0.4220。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,EMT1DXV6T1G批发价格及采购报价,EMT1DXV6T1G销售排行榜及行情走势,EMT1DXV6T1G报价。

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EMT1制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General Purpose Transistor(Isolated Dual Transistors)

EMT11功能描述:Analog IC

EMT18制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistors(dual transistors)

EMT18_10制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistors(dual transistors)

EMT18T2R功能描述:两极晶体管 - BJT DUAL PNP/PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

EMT1DXV6T1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

EMT1DXV6T1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

EMT1DXV6T5功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

EMT1DXV6T5G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

EMT1H功能描述:Analog IC