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EMT1DXV6T1G规格书详情
Dual General Purpose Transistor
PNP Dual
This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT−563 which is designed for low power surface mount applications.
特性 Features
• Lead−Free Solder Plating
• Low VCE(SAT), < 0.5 V
• These are Pb−Free Devices
产品属性
- 型号：
EMT1DXV6T1G
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
SOT-563 |
15147 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
182571 |
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ON/安森美 |
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SOT-563 |
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ON(安森美) |
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标准封装 |
8000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
56000 |
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询价 | |||
ON |
2447 |
SMD |
100500 |
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