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EMF60P02K	文件：193.81 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐20V RDSON (MAX.) 60mΩ ID ‐4.5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：193.81 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMF60P02K	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-P Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
MS60P02NE	文件：222.11 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：222.11 Kbytes 页数：3 Pages	BWTECH	BWTECH
NCE60P02Y	文件：413.81 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P02Y uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-2A RDS(ON) 文件：413.81 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

技术参数

Channel：
Single P
BVDSS(V)：
- 20
VGS(±V)：
12
ID(A)：
- 4.5
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
60
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
96
Qg(10V)Typ.(nC)：
CissTyp.(pF)：
382

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更多EMF60P02K供应商更新时间2025-12-18 15:16:00

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