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MTP55N06Z	文件：295.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
P55N06L	文件：213.23 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.02Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175°COPEARTINGTEMPERATUREFORSTA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP55N06	文件：981.62 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP55N06L	文件：981.56 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP55N06L	文件：213.23 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.02Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175°COPEARTINGTEMPERATUREFORSTA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP55N06L	文件：371.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP55N06LFI	文件：318.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP55N06LFI	文件：213.23 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.02Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175°COPEARTINGTEMPERATUREFORSTA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
60
VGS(±V)：
20
ID(A)：
6
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
55
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
70
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
13.8
CissTyp.(pF)：
633

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EMB55N06G供应商更新时间2025-7-29 16:33:00

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