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EMB55N06G	文件：184.69 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 55mΩ ID 6A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：184.69 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB55N06G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
FDP55N06	文件：1.18877 Mbytes Page：10 Pages	60V N-Channel MOSFET 文件：1.18877 Mbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP55N06	文件：331.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 55A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：331.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDPF55N06	文件：1.18877 Mbytes Page：10 Pages	60V N-Channel MOSFET 文件：1.18877 Mbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EMB55N06G供应商更新时间2025-10-13 11:29:00