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NP50P03YDG	文件：238.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP50P03YDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=8.4mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) •LowCiss:Ciss=2300pFTYP.(VDS=−25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveapp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
SPD50P03L	文件：77.21 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PPower-Transistor Feature •P-Channel •Enhancementmode •LogicLevel •Highcurrentrating •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD50P03LG	文件：633.91 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-PPower-Transistor Features •P-Channel •Enhancementmode •Logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated •Highcurrentrating •Pb-freelead-plating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD50P03LG	文件：391.1 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰-PPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD50P03LG	文件：1.78852 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPR50P03-C	文件：301.27 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SQD50P03	文件：162.91 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQM50P03	文件：163.18 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SW50P03	文件：626.25 Kbytes Page：6 Pages	P-channelEnhancedmodeTO-251MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
VBZE50P03	文件：626.22 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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