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EMB25N06A	文件：230.94 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：230.94 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB25N06A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
G25N06K	文件：665.72 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G25N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：665.72 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
HM25N06Q	文件：681.37 Kbytes Page：6 Pages	Power switching application 文件：681.37 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
ME25N06	文件：898.45 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：898.45 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
60
VGS(±V)：
20
ID(A)：
30
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
28
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
38
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
29
CissTyp.(pF)：
1335

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更多EMB25N06A供应商更新时间2025-10-11 10:20:00

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