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EMB25N06A	文件：230.94 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
G25N06K	文件：665.72 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG25N06Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
HM25N06Q	文件：681.37 Kbytes Page：6 Pages	Powerswitchingapplication	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ME25N06	文件：898.45 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP25N06	文件：301.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=80mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDT25N06	文件：1.24986 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PJD25N06A	文件：416.34 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD25N06A	文件：396.79 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@15A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD25N06A-AU	文件：402.17 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@15A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
RFM25N06	文件：235.65 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFIELDEFFECTTRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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