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EMB21C03S	文件：266.94 Kbytes Page：8 Pages	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 30V ‐30V RDSON (MAX.) 21mΩ 35mΩ ID 7.5A ‐6A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：266.94 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB21C03S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Complementary	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMZB21C03G	文件：250.78 Kbytes Page：8 Pages	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 30V ‐30V RDSON (MAX.) 21mΩ 35mΩ ID 7.5A ‐6A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free ESD Protection 文件：250.78 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB21C03A	文件：216.89 Kbytes Page：8 Pages	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 30V ‐30V RDSON (MAX.) 21mΩ 40mΩ ID 8A ‐6A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：216.89 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB21C03G	文件：247.85 Kbytes Page：8 Pages	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：247.85 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

更多EMB21C03S供应商更新时间2025-10-5 15:16:00