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EMB21C03G

N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:247.85 Kbytes 页数:8 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB21C03G

Power MOSFETs-Complementary

Excelliance MOS

杰力科技

EMB21C03S

N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 30V ‐30V RDSON (MAX.) 21mΩ 35mΩ ID 7.5A ‐6A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:266.94 Kbytes 页数:8 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMZB21C03G

N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 30V ‐30V RDSON (MAX.) 21mΩ 35mΩ ID 7.5A ‐6A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free ESD Protection

文件:250.78 Kbytes 页数:8 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

技术参数

  • Channel:

    Complementary-N

  • BVDSS(V):

    30

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    7.5

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    21

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    30

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    11.5

  • CissTyp.(pF):

    520

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多EMB21C03G供应商 更新时间2025-10-5 14:00:00