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IPS04N03LA	文件：434.02 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPS04N03LA	文件：418.45 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPS04N03LAG	文件：418.45 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPS04N03LBG	文件：417.75 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU04N03LA	文件：348.74 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU04N03LA	文件：434.02 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU04N03LA	文件：418.45 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU04N03LAG	文件：418.45 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor PackageMarking •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU04N03LBG	文件：417.75 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PJ04N03D	文件：254.91 Kbytes Page：5 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=4mΩ •RDS(ON),VGS@5.0V,IDS@24A=6mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •Incompliance	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

技术参数

Channel：
Single-N
BVDSS(V)：
30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
32
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
4
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
6.6
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
42
CissTyp.(pF)：
2806

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	EMB04N03V	杰力	23+	EDFN8-3X3	32078	10年以上分销商,原装进口件,服务型企业	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	EMB04N03V	EMC	24+	DFN3X3	5000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	EMB04N03V	EMC杰力	24+	N/A	12980	原装正品现货支持实单	询价
深圳市英创达电子半导体有限公司	EMB04N03V	EMC杰力	2025+	N/A	6000	只做原装	询价
深圳兆威电子有限公司	EMB04N03V	EMC	23+	QFN	20	原装现货假一赔十	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	EMB04N03V	EMC	1922+	SOP	7880	原盒原包装现货原装假一罚十价优	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	EMB04N03V	EMC/杰力	23+	DFN33	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	EMB04N03V	EMC	2022+	DFN3X3	5000	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市威雅利发展有限公司	EMB04N03V	EMC	19+	EDFN33	1687	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	EMB04N03V	EMC	22+	DFN3*3	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价

更多EMB04N03V供应商更新时间2025-7-29 10:46:00

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