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EGP30B	文件：394.54 Kbytes Page：2 Pages	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS VOLTAGERANGE:50---800VCURRENT:3.0A FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecurrentcapability ◇Easilycleanedwithalcohol,Isopropanol andsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
EGP30B	文件：99.54 Kbytes Page：2 Pages	3 Amp. Glass Passivated Avalanche Ultrafast Recovery Eectifiet Voltage50to600V Current3Aat55°C. •GlassPassivatedJunction •Highcurrentcapability •TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0 •Terminals:AxialLeads •Polarity:Colorbanddenotescathode	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
EGP30B	文件：202.33 Kbytes Page：2 Pages	High Efficiency Rectifiers VOLTAGERANGE:50---800V CURRENT:3.0A Features ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecurrentcapability ◇Easilycleanedwithalcohol,Isopropanolandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
EGP30B	文件：78.73 Kbytes Page：4 Pages	Glass Passivated Ultrafast Plastic Rectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Ultrafastreverserecoverytime •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
EGP30B	文件：184.66 Kbytes Page：6 Pages	3.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers Features GlassPassivatedCavity−freeJunction HighSurgeCurrentCapability LowLeakageCurrent SuperfastRecoveryTimeforHighEfficiency LowForwardVoltage,HighCurrentCapability TheseDevicesarePb−Free,HalideFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EGP30B	文件：121.54 Kbytes Page：2 Pages	Plastic Ultra-Fast Recover Rectifier Reverse Voltage 50 to 400V Forward Current 3.0A ReverseVoltage50to400V ForwardCurrent3.0A Features •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10秒,0.375(9.5mm)引线长度。260℃/10seconds,0.375(9.5mm)leadlength,5lbs.(2.3kg)tension •Leadandbodyaccordingwit	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
EGP30B	文件：89.2 Kbytes Page：2 Pages	SUPER FAST RECTIFIER ReverseVoltage:50to400Volts ForwardCurrent:3.0Amperes FEATURES •GPRC(GlassPassivatedRectifierChip)inside •Glasspassivatedcavity-freejunction •Lowforwardvoltagedrop,Highcurrentcapability •Highsurgecurrentcapability •Superfastrecoverytime •Pla	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
EGP30B	文件：195.69 Kbytes Page：7 Pages	Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 ReverseVoltage50to1000V FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction Cavity-freeglasspassivatedjunction CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
EGP30B	文件：369.196 Kbytes Page：2 Pages	3A 100V Fast recovery diode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
EGP30B	文件：369.196 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER DIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

产品属性

产品编号：
EGP30B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
95pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EGP30B供应商更新时间2025-7-25 18:24:00

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