EGP30B分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
EGP30B |
参数属性 | EGP30B 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD |
功能描述 | 3.0A Sintered Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier |
封装外壳 | DO-201AD,轴向 |
文件大小 |
146.24 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | TAITRON Components Incorporated |
企业简称 |
TAITRON |
中文名称 | TAITRON Components Incorporated官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-5 11:58:00 |
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EGP30B规格书详情
Features
• Sintered glass passivated (SGP) rectifier chip
• Low forward voltage, high current capability
• Low leakage current, high surge current capability
• High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds /.0375 (9.5mm) lead length, 5lbs (2.3kg) tension
• RoHS Compliance
产品属性
- 产品编号:
EGP30B
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
3A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
95pF @ 4V,1MHz
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-201AD,轴向
- 供应商器件封装:
DO-201AD
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
DO-201 |
50000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
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50000 |
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10000 |
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1983 |
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22+ |
DO-201AD |
50000 |
原装正品现货 |
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JX |
23+ |
DO-27 |
7600 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |