高压600V2A半桥驱动芯片

EG3113 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。其高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V - 20V，静态功耗小于 5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了上拉 5V 高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 I0+/-2/2.5A，采用 SOP8 和 DFN8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 电压范围 2.8V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 2A/2.5A\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 静态电流小于 5uA，非常适合电池场合\n• 封装形式：SOP8,DFN8;

EGmicro

屹晶微电子

HIgh-Power MOS tube driver chip

文件：562.45 Kbytes 页数：12 Pages

EGMICRO

屹晶微电子

高压600V2A半桥驱动芯片

EG3113D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 8V - 20V，静态电流约 300uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了上拉 5V 高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO+/- 2/2.5A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 电压范围 8V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 2A/2.5A\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式：SOP - 8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

EGmicro

屹晶微电子

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Description Transistors with built-in resistors can be excellent space- and cost-saving solutions by reducing component count and simplifying circuit design. Features • 100 mA Output Current Capability • Built-in Bias Resistor (R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ) Application • Switching, Interface, and

文件：46.9 Kbytes 页数：3 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Description Transistors with built-in resistors can be excellent space- and cost-saving solutions by reducing component count and simplifying circuit design. Features • 100 mA Output Current Capability • Built-in Bias Resistor (R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ) Application • Switching, Interface, and

文件：248.25 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Description Transistors with built-in resistors can be excellent space- and cost-saving solutions by reducing component count and simplifying circuit design. Features • 100 mA Output Current Capability • Built-in Bias Resistor (R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ) Application • Switching, Interface, and

文件：248.25 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体