高压600V2A驱动芯片

EG2183D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 8V - 20V，静态功耗小于 300uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了上拉 5V 高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 I0+/-2/2.5A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 电压范围 8V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 2A/2.5A\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式：SOP8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

EGmicro

屹晶微电子

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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RENESAS

瑞萨

TYPEC/PD2.0/PD3.0 Physical Layer IC for USB TYPEC input Interfaces

1. Features  Support TYPEC/PD2.0/PD3.0 UFP mode for USB TYPEC input port  Auto-detect USB connection condition  Integrate USB Power Delivery (PD2.0/PD3.0) protocol  Integrate hardware bi-phase Mark Coding (BMC) over CC  Integrate physical layer  Hardware CRC protect data integrity

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INJOINIC

英集芯科技

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2183(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable rugge dized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS o

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IRF