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VF20202C	文件：157.12 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF20202C	文件：168.41 Kbytes Page：6 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF20202G	文件：168.28 Kbytes Page：6 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF20202G	文件：164.81 Kbytes Page：6 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF20202G	文件：157.23 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VI20202C	文件：207.93 Kbytes Page：6 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VI20202C	文件：168.41 Kbytes Page：6 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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技术参数

形状：
树脂径向引线型
直流或交流：
DC
额定电压 (V)：
2000
类别温度范围 (°C)：
-25 to 105 (85)
静电容量 (µF)：
0.002
静电容量容差 (%)：
-3 to 3
电介质：
MPET+PP
尺寸编号 (mm)：
引线类型
引线间距 (mm)：
10
包装形状：
散装(塑料袋装)

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更多ECWH20202HVB供应商更新时间2025-7-27 10:30:00

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