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ECH8654-TL-H	文件：313.13 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET ??0V, ??A, 38m廓, Dual ECH8 Features • Low ON-resistance • Halogen free compliance • 1.8V drive • Protection diode in 文件：313.13 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8656	文件：313.43 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=13mΩ (typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance • Nch + Nch MOSFET • Protection diode in 文件：313.43 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8656	文件：388.19 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=13mΩ (typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance • Nch + Nch MOSFET • Protection diode in 文件：388.19 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8656-TL-H	文件：313.43 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=13mΩ (typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance • Nch + Nch MOSFET • Protection diode in 文件：313.43 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8657	文件：309.79 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：309.79 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8657	文件：351.77 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications N-Channel Silicon MOSFET Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：351.77 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8657-TL-H	文件：309.79 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：309.79 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8659	文件：312.8 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. Features • 4V drive • Composite type, 文件：312.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8659	文件：471 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. Features • 4V drive • Composite type, 文件：471 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8659	文件：59.98 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • 4V drive • Composite type, facilitating high-density mounting • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：59.98 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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技术参数

VRWM(V)：
190
VBRmin(V)：
211
IPP(A)：
1.9
IR(uA)：
5
Status：
Active
封裝型式：
SMB/DO-214AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	SMBJ190CA-HF	COMCHIPTECHNOLOGY	2020+	DO-214AA-2	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
浙江永芯科技有限公司	SMBJ190CAQ	YANGJIE	24+	SMB	50000	原厂直销全新原装正品现货欢迎选购	询价
富凯科技(深圳）有限公司	SMBJ190CAQ	扬杰	24+	SMB	50000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价
深圳市创新迹电子有限公司	SMBJ190CAQ	扬杰	22+	SMB	20000	公司只有原装品质保障	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	SMBJ190CA-TR	ST	23+	DO-214AA(SMB)	16900	正规渠道,只有原装!	询价
深圳市外芯人半导体有限公司	SMBJ190CA-TR	ST	24+	DO-214AA(SMB)	200000	原装进口正口,支持样品	询价
深圳瞄钧科技有限公司	SMBJ190CA-TR	ST	24+	DO-214AA(SMB)	16900	支持样品,原装现货,提供技术支持!	询价
深圳市腾亿芯科技有限公司	SMBJ190CA-TR	ST	25+	DO-214AA(SMB)	16900	原装，请咨询	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	SMBJ190CA-TR	ST	2511	DO-214AA(SMB)	16900	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市中飞凌科技有限公司	SMBJ190CA-TR	ST	26+	DO-214AA(SMB)	60000	只有原装可配单	询价

更多ECH供应商更新时间2026-3-14 11:00:00

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