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ECH8657 | N-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：309.79 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
ECH8657 | N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications N-Channel Silicon MOSFET Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：351.77 Kbytes 页数：4 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | |
ECH8657 | General-Purpose Switching Device Applications 文件：418.04 Kbytes 页数：7 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | |
ECH8657 | 双 N 沟道，功率 MOSFET，35V，4.5A，59mΩ ECH8657 is an N-Channel Power MOSFET, 35V, 4.5A, 59mΩ, Dual ECH8 for General-Purpose Switching Device Application. • 4V drive\n• Protection diode in; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
N-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：309.79 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
General-Purpose Switching Device Applications 文件：418.04 Kbytes 页数：7 Pages | SANYO 三洋 | SANYO |
技术参数
- Pb-free：
Pb
- Halide free：
H
- Status：
Active
- Channel Polarity：
N-Channel
- Configuration：
Dual
- V(BR)DSS Min (V)：
35
- VGS Max (V)：
20
- VGS(th) Max (V)：
2.6
- ID Max (A)：
4.5
- PD Max (W)：
1.3
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=119
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1=Q2=59
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
4.6
- Ciss Typ (pF)：
230
- Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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