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ECF10N60M	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
F10N60	文件：964.56 Kbytes Page：11 Pages	10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：964.56 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F10N60	文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages	10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：976.2 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F10N60	文件：964.93 Kbytes Page：11 Pages	10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：964.93 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH

技术参数

Configuration：
Single
MOSFETTyEC：
N
V DS(V)：
600
V GS(V)：
±30
V th (V)：
2/3/4
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
560/680
Ciss(pF)：
1532
Coss (pF)：
176
Crss(pF)：
26
Qg (nC)=10V：
51
Qgs(nC)：
6.7
Qgd (nC)：
22.8
Rg W：
2.2
EAS mJ)：
720
I D(A) Tc=25 ℃：
10
I D(A) Tc=100 ℃：
6.3
EC(W)Tc=25 ℃：
44.6
ESDDiode：
X
Schokkty Diode：
X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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