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ECF04N100T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
SK04N100B-TF	文件：1.19109 Mbytes Page：8 Pages	1000V N-ch Planar MOSFET 文件：1.19109 Mbytes 页数：8 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
CEB04N100	文件：497.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：497.84 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
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技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
1000
V GS(V)：
±30
V th (V)：
2/ - /4
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
4200/5500
Ciss(pF)：
955
Coss (pF)：
80
Crss(pF)：
13
Qg (nC)=10V：
25
Qgs(nC)：
4.8
Qgd(nC)：
10.2
EAS(mJ)：
17.8
I D(A) Tc=25 ℃：
4
I D(A) Tc=100 ℃：
2.22
EC(W)Tc=25 ℃：
38.7
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

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更多ECF04N100T供应商更新时间2022-12-6 9:27:00

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