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CEF04N100

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

文件:497.84 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEF04N100

N Channel MOSFET

CET

华瑞

CEP04N100

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

文件:497.84 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

SK04N100B-TF

1000V N-ch Planar MOSFET

文件:1.19109 Mbytes 页数:8 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

技术参数

  • BVDSS(V):

    1000

  • Rds(on)mΩ@10V:

    3800

  • ID(A):

    4

  • Qg(nC)@10V(typ):

    27

  • RθJC(℃/W):

    2.5

  • Pd(W):

    50

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多CEF04N100供应商 更新时间2025-10-11 16:31:00