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ECD03N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
FMC03N60E	文件：580.87 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures 文件：580.87 Kbytes 页数：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI
FMC03N60E	文件：332.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve 文件：332.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FMI03N60E	文件：578.13 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：578.13 Kbytes 页数：5 Pages	FUJI 富士通	FUJI

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
600
V GS(V)：
±30
V th (V)：
3/4/5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
3800/4500
Ciss(pF)：
425
Coss (pF)：
26
Crss(pF)：
3.2
Qg (nC)=10V：
9.9
Qgs(nC)：
2.9
Qgd(nC)：
3.1
Rg W：
1.9
EAS(mJ)：
65
I D(A) Tc=25 ℃：
3
I D(A) Tc=100 ℃：
1.9
EC(W)Tc=25 ℃：
42
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ECD03N60供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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