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EC3A04B | N-Channel Junction Silicon FET Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications 文件：50.27 Kbytes 页数：4 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | |
EC3A04B | Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications 文件：88.22 Kbytes 页数：4 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | |
EC3A04B | N-Channel Junction Silicon FET Low-Frequency General-Purpose Amplifier,Impedance Converter Applications 文件：52.4 Kbytes 页数：4 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | |
N-Channel Junction Silicon FET Low-Frequency General-Purpose Amplifier,Impedance Converter Applications 文件：52.4 Kbytes 页数：4 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | ||
Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications 文件：88.22 Kbytes 页数：4 Pages | SANYO 三洋 | SANYO | ||
EC3A04B | Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3 | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Package：3-XFDFN；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - JFET 描述：JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3 | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
技术参数
- 漏源电压（Vdss）：
30V
- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：
1.2mA @ 10V
- 漏极电流（Id） - 最大值：
10mA
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：
180mV @ 1µA
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
4pF @ 10V
- 电阻 - RDS（开）：
200 Ohms
- 功率 - 最大值：
100mW
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
3-ECSP1006
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON Semiconductor |
2022+ |
3-ECSP1006 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
3-XFDFN |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
CINCON |
23+ |
DIP |
23168 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
CINCON |
24+ |
DIP24 |
5000 |
全新原装,一手货源,全场热卖! |
询价 |
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