EC3A04B中文资料Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
EC3A04B |
| 参数属性 | EC3A04B 封装/外壳为3-XFDFN；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-JFET；产品描述：JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3 |
| 功能描述 | Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 15:08:00 |
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EC3A04B规格书详情
简介
EC3A04B属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由制造生产的EC3A04B晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。
技术参数
更多- 产品编号：
EC3A04B-3-TL-H
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - JFET
- 包装：
散装
- FET 类型：
N 通道
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
4pF @ 10V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
ECSP1006-3
- 描述：
JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3
