首页>EC3A03B-TL-H>规格书详情

EC3A03B-TL-H数据手册分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF

PDF无图
厂商型号

EC3A03B-TL-H

参数属性

EC3A03B-TL-H 封装/外壳为3-XFDFN;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-JFET;产品描述:JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3

功能描述

JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3

封装外壳

3-XFDFN

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-12 23:01:00

人工找货

EC3A03B-TL-H价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

EC3A03B-TL-H规格书详情

简介

EC3A03B-TL-H属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由制造生产的EC3A03B-TL-H晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :EC3A03B-TL-H

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 漏源电压(Vdss)

    :40V

  • 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)

    :50µA @ 20V

  • 漏极电流(Id) - 最大值

    :1mA

  • 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)

    :1.5V @ 1µA

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :1.7pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    :100mW

  • 工作温度

    :150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :3-XFDFN

  • 供应商器件封装

    :3-ECSP1006

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
CINCON
2021+
DIP
11000
十年专营原装现货,假一赔十
询价
ON/安森美
23+
NA
25630
原装正品
询价
ON/安森美
NA
275000
一级代理原装正品,价格优势,长期供应!
询价
ON/安森美
22+
N/A
8000
现货,原厂原装假一罚十!
询价
ON/安森美
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
询价
CINCON
24+
DIP24
5000
全新原装,一手货源,全场热卖!
询价
CINCON
23+
SIPDIP
14619
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON Semiconductor
2022+
3-ECSP1006
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价