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EC3A03B-TL-H中文资料JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3数据手册ONSEMI规格书
EC3A03B-TL-H规格书详情
简介
EC3A03B-TL-H属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由制造生产的EC3A03B-TL-H晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。
技术参数
更多- 制造商编号
：EC3A03B-TL-H
- 生产厂家
：ONSEMI
- 漏源电压（Vdss）
：40V
- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
：50µA @ 20V
- 漏极电流（Id） - 最大值
：1mA
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
：1.5V @ 1µA
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：1.7pF @ 10V
- 功率 - 最大值
：100mW
- 工作温度
：150°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：3-XFDFN
- 供应商器件封装
：3-ECSP1006
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
2022+ |
3-ECSP1006 |
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